撰文：Rita

潮向导读

高盛 6 月 30 日发布 DRAM 情绪指数月报，9 个指标中 7 个指向正向、1 个走平、1 个指向负向，综合判断"适度积极"，与 4 月持平。但真正值得注意的是两件事：DDR5 的涨价惯性在减弱，而 2027 年 HBM 的定价预期正在快速上修。

DDR5 自 5 月以来现货涨了 20%，韩国 DRAM 出口 5 月再创历史新高，同比增幅 370%。南亚科技连续 10 个月营收三位数增长。但三星 DRAM ASP 的二阶导数已经转负，降了 48 个百分点，说明涨价加速度在变弱。高盛这次把 2027 年三星 HBM 价格增长预期从 +14%提到 +44%，并明确说"可能还有上行风险"。存储的故事正在从"还能涨多少"切换到"涨完以后怎么定价"。

DDR5 涨价还在跑，但加速度在减

DDR5 16Gb 现货自 5 月 1 日以来涨了 20%，比 5 月合约价高 25%。DDR4 8Gb 同期涨了 11%，比合约价高 45%。现货对合约的高溢价说明短期供需偏紧，买家愿意付溢价拿货。

但三星 DRAM ASP 的二阶导数值得关注。高盛估算三星 2026 年二季度 DRAM ASP 环比涨约 46%，一季度涨了 93%。涨价幅度从跳升进入缓涨。ASP 增速环比下降了 48 个百分点。涨价基数越来越高以后，涨幅自己会收窄，需求端并没有出问题。

服务器和手机在给量撑腰

台湾四大服务器 ODM（英业达、广达、纬颖、纬创）5 月营收同比增 53%，机架级 AI 服务器和 ASIC AI 服务器出货都在爬坡。全球最大的 BMC 供应商信骅 5 月营收同比增 69%，在上年同期 75%的高基数上继续增长。

中国大陆手机 5 月出货同比增 19%，连续两个月正增长。高盛中国团队预计 2026 年二季度出货会环比降 14%，原因是存储涨价正在抬高整机成本、压制终端需求。这个判断本身构成了一个有趣的张力：存储涨价利好存储厂，但涨价过头又会反噬下游需求。

HBM 的预期才是这次最大变化

高盛在报告中对 2027 年 HBM 定价做了一个很关键的调整，将三星 HBM 价格增长预期从 +14%上调到 +44%，翻了 3 倍多。逻辑是当前传统 DRAM 的强劲定价趋势，会成为 HBM 年度议价时的参照系。传统 DRAM 和 HBM 的价差正在被拉大，这给了 HBM 涨价的空间。

高盛同时明确表示"可能还有进一步上行的风险"，因为 HBM 供需偏紧，且传统 DRAM 和 HBM 的价差还在扩大。这个判断如果兑现，意味着 2027 年的存储景气高点可能比市场想的更高。

韩国出口数据可以验证热度

韩国 5 月 DRAM 出口额创历史新高，环比增 21%、同比增 370%，超越 3 月的前次高点。南亚科技 5 月营收同比增 730%，已是连续第 10 个月三位数增长，由 DDR4 强劲涨价驱动。台湾分销商至上电子 5 月营收同比增 253%、环比增 54%，反映下游拿货意愿很强。

三星仍是这个赛道最直接的标的

高盛维持三星电子买入评级，普通股目标价 48 万韩元（当前约 32.3 万，有 49%空间），优先股目标价 36 万韩元。估值方法为 12 个月前瞻 EV/EBITDA 的分部加总估值。下行风险包括存储供需大幅恶化、手机利润急剧收缩和移动 OLED 市场份额流失。

潮向视角

高盛这份月报真正值得关注的是一个细节：2027 年 HBM 定价预期从 +14%上调到 +44%。DDR5 还在涨这件事市场已经知道了，但 HBM 的定价上修是新的。这意味着市场正在把传统 DRAM 的紧缺，换算成 HBM 年度议价的上行空间。

另一个值得注意的数据是 ASP 二阶导数转负。周期还没有见顶，但“越涨越快”的阶段已经过去了。现在进入的是“还在涨，但涨得慢了”的阶段。历史上，这个阶段的存储股主要赚的是盈利兑现的钱，估值再扩张的空间有限。

对关注美股和 A 股存储概念的中文投资者来说，这份报告提示了两条线索：短线上 DDR5 和 DDR4 的现货溢价还在，但加速涨的阶段快走完了；长线上 HBM 的定价上修说明 2027 年的高点比之前想象的更高。两者的交叉点，决定了现在持有存储股的仓位应该怎么配置。

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