消息称 SK 海力士推进 EUV 工艺，开始引入新材料 PSM

8 月 11 日，据财联社报道，SK 海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代 DRAM 的量产。公司于去年首次推出高数值孔径（High-NA）EUV 设备，并于今年全面启动相关技术的研发。据悉，该公司已全面开始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升 EUV 光刻性能。(深潮 TechFlow)