消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士主流工艺

9 月 07 日，SK 海力士正在迅速扩大其第六代 10nm级 DRAM 工艺 1c nm 产能份额。由于 1c DRAM 将作为核心芯片堆叠 HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK 海力士 1c DRAM 的市场份额从今年第一季度的约 10%增长到第二季度的 13%左右，预计第三季度将升至 24%左右，第四季度将达到 34%左右。明年第一季度，1c nm 的市场份额有望攀升至 35%左右，首次超过 1b（33%左右），成为主流工艺。(金十)