马斯克评长鑫存储技术进展：中国规模化制造能力极强，但更先进的存储架构攻克难度更高

10 月 13 日，针对中国长鑫存储（CXMT）在新型 4F² DRAM 架构上取得进展并计划推出 DDR5 服务器内存的消息，Elon Musk 评论表示，一旦中国掌握某项产品的制造技术，其规模化生产能力通常会超过全球其他地区的总和，锂电池与太阳能产业便证明了这一点。Elon Musk 指出，内存（RAM）在约 3 年前仅为低利润的大宗商品，中国目前似乎正在迅速攻克遵循通用标准的 LP5 和 LP6 内存技术。但他同时强调，技术难度存在分化，更新的高带宽内存（HBM）架构、逻辑层下方的静态随机存取内存（SRAM）层，以及在保证逻辑层有效散热的同时实现 3D 堆叠 RAM 等更前沿的技术，对中国而言攻克难度将显著加大。受相关产业竞争预期影响，美光科技（MU）、闪迪（SNDK）、三星与 SK 海力士等存储芯片概念股近期均出现下挫。(深潮 TechFlow)