韩媒：SK 海力士计划将在中国的 NAND 产能提高 50%

8 月 11 日，据韩国《首尔经济日报》报道，SK 海力士重启中国大连 NAND 闪存生产基地的二期工厂建设，产能将扩大约 50%。该工厂于四年前动工，后因存储器市场低迷而长期停工。SK 海力士计划年内完成半导体生产设备导入，明年上半年正式投产。大连投资周期时隔四年再度开启，原因在于人工智能数据中心普及带动企业级固态硬盘需求激增，NAND 价格在一年内上涨近十倍。(金十)