美国 ITC 发布对外国制造的半导体器件及其下游产品和组件的 337 部分终裁
深潮TechFlow|2026年07月16日 03:16
7 月 16 日,据新浪财经报道,美国国际贸易委员会 (ITC) 投票决定对特定动态随机存取存储器 (DRAM) 设备及其下游产品和组件 (II)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II))启动 337 调查(调查编码:337-TA-1511)。主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国 337 条款(侵权美国注册专利号 12,646,537、12,650,937 ),请求美国 ITC 发布有限排除令、禁止令。韩国 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美国 Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美国 Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美国 Google LLC, Mountain View, California、美国 Super Micro Computer, Inc., San Jose, California、美国 NVIDIA Corp., Santa Clara, California、美国 Broadcom Inc., Palo Alto, California 为列名被告。美国国际贸易委员会将于立案后 45 天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外,美国国际贸易委员会在 337 案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第 60 日起具有终局效力。(深潮 TechFlow)
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