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三星电子正为英伟达开发 8 层 HBM4E 存储器

AiCoin
AiCoin|2026年08月31日 05:27
据韩国媒体报道，三星电子正根据英伟达要求开发 8 层 HBM4E 存储器，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%，该产品将用于 NVHBM。
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