作者：TrendForce

编译：深潮 TechFlow

深潮导读：内存供应持续紧张正在改变 AI 芯片的设计逻辑。英伟达从 2026 年第三季度开始评估降低下一代 Rubin Ultra 芯片的 HBM 配置，从原计划的 12 层 HBM4e 扩大到包括 8 层 HBM4e、12 层 HBM4 和 8 层 HBM4 等多种方案。这不是技术选择，而是供应链被逼出来的妥协——DRAM 短缺将持续到 2027 年，HBM4e 的量产时间表仍不确定，AI 芯片厂商必须在性能和出货量之间做权衡。

根据 TrendForce 最新内存行业研究，DRAM 供应紧张状况将持续至 2027 年，且内存供应商的 HBM4e 验证时间表仍存在不确定性。这些限制因素正促使 AI 芯片厂商削减下一代产品的 HBM 配置。

自 2026 年第三季度起，英伟达已开始扩大对 Rubin Ultra 芯片 HBM 配置的评估范围，从最初的 12 层 HBM4e 设计扩展至包括 8 层 HBM4e、12 层 HBM4 和 8 层 HBM4 等替代方案。最终规格尚未确定。除英伟达外，多家云服务商也在评估为其下一代自研 AI ASIC 芯片降低 HBM 容量。

TrendForce 指出，近期的内存短缺已导致 AI 芯片内存规格出现多次调整。例如，云服务商和服务器 OEM 厂商在 2026 年上半年降低了服务器配置中的 RDIMM 容量。最近，英伟达在判断 LPDDR5X 供应限制可能持续至 2027 年后，决定将下一代 Vera Rubin 超级芯片模块的 SOCAMM 容量减半。

从 2025 年到 2026 年上半年，英伟达一直将 12 层 HBM4e 作为 Rubin Ultra 的基准设计。但从 2026 年第三季度初开始，该公司开始评估更低规格的替代方案。这一变化主要由两个供应端限制因素驱动：首先，2027 年预期的整体 DRAM 短缺将限制内存供应商可分配给 HBM 生产的晶圆产能。其次，12 层 HBM4e 的验证时间表和产能爬坡仍存在不确定性。

TrendForce 指出，英伟达对 Rubin Ultra 这一代产品的首要目标是提高 I/O 速度，而扩大 GPU 出货量仍是次要优先级。如果英伟达最终决定削减 HBM 规格，预计将通过减少 DRAM 堆叠层数来实现。

最终，HBM4e 能否按计划完成验证并进入量产，将决定 Rubin Ultra 的 I/O 速度能否从上一代 Rubin 的 8-11.7 Gbps 提升至 14-16 Gbps，还是只能通过 HBM4 设计优化达到 11-12 Gbps。

同时，在同一代产品中，DRAM 堆叠层数决定了单 GPU HBM 容量与可出货 GPU 数量之间的权衡。

TrendForce 认为最终配置还将取决于内存供应商的晶圆分配决策。从供需角度看，2027 年 HBM 位出货量预计将同比增长 50-60%，但仍不足以跟上需求增长。

TrendForce 预计在这种供应受限的条件下，HBM 供应商将在 2027 年全年保持定价权，行业已普遍预期 HBM 价格将大幅上涨。因此 AI 芯片厂商将面临 HBM 供应有限和采购成本上升的双重挑战，这增加了采用更低容量 HBM 配置的动机。