Critini分析师：三星与海力士正重新评估HBM采用混合键合时机，技术换轨或被推迟

7 月 6 日，Critini Research 分析师 Jukan 指出，三星与 SK 海力士正重新评估在 HBM 中采用混合键合的时机，即使到 HBM5 也可能暂不采用。核心原因有二：一是 JEDEC 正讨论将 HBM5 的厚度标准放宽至最高约 1000μm（HBM3E 为 720μm，HBM4 已放宽至 775μm），标准松动后混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫；二是散热问题有了更简单的替代方案——三星开发了 Heat Path Block，SK 海力士推出 iHBM（ICE HBM），均为在 HBM 旁放置独立散热器件，计划从 HBM5 开始应用，技术难度更低且商业化更稳妥。此外，英伟达等大客户对 16 层以上高堆叠产品的需求目前并不紧迫，12 层产品在 HBM4E 阶段或仍为市场主流。不过混合键合的研发并未停滞。当前 HBM4 的 I/O 数量已翻倍至 2048 个，现有 TC 热压合工艺已接近极限；若未来 HBM5E 阶段 I/O 进一步翻倍至 4096 个，凸点横向扩散将使 TC 键合难以支撑，届时必须采用铜直接键合的混合键合以实现更高密度连接。Jukan 判断：短期内因厚度与散热有更简单方案，混合键合不会大规模部署；但中长期当 I/O 密度再次爆炸时仍是必然方向。这将对混合键合设备核心供应商 Besi 的市场预期产生直接影响。技术换轨的推迟意味着相关设备订单的规模放量时间表需要重新审视。[原文链接](BlockBeats)