路透社：三星、SK海力士升级中国工厂，以应对长江存储竞争

10 月 21 日，据路透社报道，三星电子与 SK 海力士正在升级其中国工厂，计划生产层数更高的 NAND 闪存芯片，以应对中国竞争对手长江存储的快速发展，并满足人工智能领域不断增长的存储需求。两家公司均向路透社确认正在进行相关升级，并称相关工作与美国方面保持密切沟通，但未披露具体生产计划。三星计划将其位于中国西安的工厂升级为生产 286 层 V9 NAND 闪存芯片。该工厂目前主要生产约 200 层的芯片，占三星全球 NAND 产量的约 40%。据知情人士透露，三星内部将这一项目称为「Monami」，目标是在 2026 年 12 月实现每月 5000 片晶圆的产量，并于 2027 年 12 月将月产量提升至 4 万片。三星表示，此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户需求，不涉及扩大产能或新建制造设施。SK 海力士则计划将其位于中国大连的工厂升级为生产 240 层及以上的 NAND 产品，目前该厂生产的产品约为 192 层。据知情人士透露，该公司已获准在大连生产最高 240 层的芯片，并可能向美国政府申请在当地开展 300 层以上芯片的研发，为未来在美国生产相关产品奠定基础。SK 海力士还正与特朗普政府讨论在美国新建 NAND 工厂的计划。报道指出，美国自 2022 年起对部分芯片制造设备实施出口管制，三星和 SK 海力士若要在中国工厂安装美国制造的设备，需要每年申请许可证。美国商务部工业与安全局（BIS）此前表示，计划允许两家公司继续运营现有中国工厂，但不打算批准扩大产能或升级技术的申请。路透社尚无法确认两家公司为此次升级所需的设备出口许可获得了何种程度的批准。与此同时，长江存储在中国 NAND 市场的份额持续上升。研究机构 Omdia 数据显示，长江存储 2026 年第二季度在中国 NAND 市场的份额达到 38.5%，高于 2025 年全年的 28%，并超过三星。同期，三星市场份额从 36% 降至 33.5%，SK 海力士则从 20% 降至 17%。长江存储目前主要生产 160 层和 232 层产品，也已少量生产 294 层芯片，并计划推出 300 层以上产品。目前，三星在中国以外市场销售最高 286 层的 NAND 芯片，并于今年 8 月展示了超过 400 层的原型产品；SK 海力士则销售最高 321 层的 NAND 芯片。[原文链接](路透社)