人士透露,英特尔计划从明年开始将硅电容应用于其 2.5D 封装。 英特尔在 2.5D 封装中采用「硅电容」…… 谷歌 AI 芯片首次应用 2.5D 是一种先进封装技术,在半导体与基板之间插入一层薄膜中介层(interposer)。由于与仅使用基板的传统封装相比,它能以更高密度连接电路,因此在 AI 和 HPC(高性能计算)领域需求不断上升。 为提升 2.5D 封装的成本效益,英特尔设计了名为 EMIB 的自有技术。EMIB 不使用大面积铺开的中介层,而是通过一座小型硅桥(silicon bridge)实现芯片与芯片之间的连接。由于硅桥只需放置在需要芯片间连接的位置,芯片便能以更灵活、更高效的方式排布。 近来,EMIB 作为台积电(TSMC)的替代方案而受到关注 —— 台积电此前一直在既有的 2.5D 封装市场处于领先地位。这是因为在 AI 产业快速发展的背景下,台积电的 2.5D 封装产能正面临供应短缺。 事实上,全球大型科技企业谷歌也在关注 EMIB。谷歌已决定为其计划于明年下半年推出的自研 AI 半导体「v8e」采用 EMIB。在此架构下,台积电负责芯片量产,联发科(MediaTek)负责设计与制造支持,英特尔负责封装。 然而,此前一直存在一种担忧:对于功耗巨大的 AI 半导体而言,EMIB 在提供稳定供电方面正逐渐显现出局限性。为此,英特尔计划引入硅电容和硅通孔(through-silicon vias,TSV)等新技术,以确保 v8e 的封装稳定性。 电容是电子电路中存储和释放电力的元件。就硅电容而言,其电阻(ESL/ESR)比传统多层陶瓷电容(MLCC)低 100 倍以上,可最大限度减少高性能半导体中产生的信号损耗。它们还能基于硅晶圆设计成超薄结构,实现高密度集成。 一位半导体行业人士解释道:「由于 AI 芯片内部高频区域出现的电压降(voltage drop,即电压下降现象)很难用 MLCC 解决,我们理解英特尔正在采用硅电容作为解决方案。」他补充说:「相关供应链现已就位,量产将于明年正式开始。」 EMIB-T 已步入增长轨道 —— 相关生态系统与市场正一同扩张 英特尔还在硅桥中插入了作为供电通道的 TSV。关键之处在于,通过使用 TSV 缩短基板与芯片之间的供电路径,英特尔改善了供电效率与信号完整性。英特尔将此称为「EMIB-T」。 业界预计 EMIB-T 和硅电容市场将快速增长。 这是因为日本的揖斐电(Ibiden)—— 为 EMIB-T 量产半导体基板的主要企业之一 —— 正在积极推进资本投资。 揖斐电此前曾计划将位于岐阜县的川岛(Gama,蒲)工厂建为英特尔 CPU 的基板工厂。然而,它推迟了该计划,并于今年上半年决定正式将 Gama 工厂转为 EMIB-T 基板的量产线。投资额为 2,200 亿日元(约 2.1 万亿韩元)。 揖斐电在近期的财报发布中表示:「Gama 工厂将于 2027 年开始运营,并于 2028 年进入全面量产。」并补充道:「EMIB-T 基板产能目前远远落后于需求。然而,进一步增加产能相当困难,因此我们正在与客户讨论各种方案。」 一位半导体行业人士解释道:「揖斐电专用于 EMIB-T 的产线,大部分投资来自谷歌、亚马逊、英特尔等客户。」他补充说:「这表明基于 EMIB-T 的 AI 半导体未来将显著增长,而硅电容也很可能随之扩张。」(翻译：英特尔 EMIB 封装快速增长 —— 硅电容也随之起飞 硅电容(silicon capacitor)有望在 AI 半导体领域迎来爆发式增长。据发现,英特尔(Intel)正计划从明年开始大规模采用硅电容,以提升其自研 2.5D 封装技术「EMIB」的性能。 最清晰可见的需求来源是谷歌(Google)。谷歌计划于明年下半年推出其下一代 AI 加速器「v8e」,并已为该芯片采用了内嵌硅电容的 EMIB 基板。由于亚马逊(Amazon)等其他大型科技公司目前也在应用 EMIB,分析师表示需求可能会急剧增长。 据 27 日的行业)