三星电子正在加速提高其第六代HBM4内存的DRAM良率，据行业估计，1c DRAM良率已超过80%，但有效HBM4良率仍低于60%。该公司计划在下半年实现接近成熟的HBM4良率，以满足包括Nvidia在内的AI客户的需求。由于堆叠、封装和热控制的复杂性，HBM4的生产更加复杂，良率通常在最终组装阶段下降。尽管三星已经开始出货，但大规模供应和盈利能力仍取决于良率和成本的稳定，尤其是在EUV相关成本较高的情况下。